SI4418DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4418DY-T1-E3概述

MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC

表面贴装型 N 通道 200 V 2.3A（Ta） 1.5W（Ta） 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8SO

DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC

SI4418DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 1.5W Ta

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

耗散功率Max 1.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4418DY-T1-E3

型号： SI4418DY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC

替代型号SI4418DY-T1-E3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI4418DY-T1-E3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SI4418DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	完全替代	SI4418DY-T1-E3和SI4418DY-T1-GE3的区别
SI4490DY-T1-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SI4418DY-T1-E3和SI4490DY-T1-GE3的区别
SI4410BDY-T1-E3 Vishay Siliconix	功能相似	SI4418DY-T1-E3和SI4410BDY-T1-E3的区别