SI4398DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SI4398DY-T1-E3图片1

SI4398DY-T1-E3图片2

SI4398DY-T1-E3图片3

SI4398DY-T1-E3图片4

SI4398DY-T1-E3图片5

SI4398DY-T1-E3概述

MOSFET 20V 25A 3.5W 2.8mohm @ 10V

表面贴装型 N 通道 20 V 19A（Ta） 1.6W（Ta） 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 20V 19A 8SO

贸泽:
MOSFET 20V 25A 3.5W 2.8mohm @ 10V

SI4398DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 1.6W Ta

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 25.0 A

输入电容Ciss 5620pF @10VVds

额定功率Max 1.6 W

耗散功率Max 1.6W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4398DY-T1-E3

型号： SI4398DY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 20V 25A 3.5W 2.8mohm @ 10V

替代型号SI4398DY-T1-E3

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI4398DY-T1-E3

Vishay Siliconix

当前型号

当前型号

SI4398DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

类似代替

SI4398DY-T1-E3和SI4398DY-T1-GE3的区别

SI4186DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

功能相似

SI4398DY-T1-E3和SI4186DY-T1-GE3的区别