SI3495DV-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI3495DV-T1-E3概述

MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

P-Channel 20V 5.3A Ta 1.1W Ta Surface Mount 6-TSOP

得捷:
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP

DeviceMart:
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

SI3495DV-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 1.1W Ta

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids -7.00 A

耗散功率Max 1.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3495DV-T1-E3

型号： SI3495DV-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 20V 5.3A 6-TSOP

替代型号SI3495DV-T1-E3