SMBJ110C-E3/52参数规格_中文资料_数据手册PDF

SMBJ110C-E3/52概述

ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 110V 10% Bidir

196V Clamp 3.1A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA SMBJ

得捷:
TVS DIODE 110V 196V DO214AA

贸泽:
ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 110V 10% Bidir

SMBJ110C-E3/52中文资料参数规格

技术参数

工作电压 110 V

击穿电压 135 V

耗散功率 1 W

钳位电压 177 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 122 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 DO-214AA-2

外形尺寸

长度 5.59 mm

宽度 3.94 mm

高度 2.44 mm

封装 DO-214AA-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

制造应用通用

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SMBJ110C-E3/52

型号： SMBJ110C-E3/52

制造商： Vishay Semiconductor 威世

描述：ESD 抑制器/TVS 二极管 600W 110V 10% Bidir

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替代型号SMBJ110C-E3/52

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