STH140N6F7-6参数规格_中文资料_数据手册PDF

STH140N6F7-6概述

H2PAK N-CH 60V 80A

N-Channel 60V 80A Tc 158W Tc Surface Mount H2PAK-6

得捷:
MOSFET N-CH 60V 80A H2PAK-6

贸泽:
MOSFET N-channel 60 V, 0.0028 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 7-Pin6+Tab H2PAK T/R

STH140N6F7-6中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 158 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 68 ns

输入电容Ciss 3100pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 158W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

封装 TO-263-7

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： STH140N6F7-6

描述：H2PAK N-CH 60V 80A