STD40P3LLH6参数规格_中文资料_数据手册PDF

STD40P3LLH6概述

P-channel -30V, 12mOhm typ., -40A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package

表面贴装型 P 通道 30 V 40A（Tc） 60W（Tc） DPAK

得捷:
MOSFET P-CH 30V 40A DPAK

贸泽:
MOSFET

Win Source:
MOSFET PCH 40V 20A DPAK / Very low gate charge

STD40P3LLH6中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 12 mΩ

耗散功率 60 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 93 ns

输入电容Ciss 2615pF @25VVds

下降时间 18 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

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型号： STD40P3LLH6

描述：P-channel -30V, 12mOhm typ., -40A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package