STF13N60DM2概述
N沟道 600V 11A
N-Channel 600V 11A Tc 25W Tc Through Hole TO-220FP
得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
立创商城:
N沟道 600V 11A
贸泽:
MOSFET POWER MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
STF13N60DM2中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 310 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 25 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 4.8 ns
输入电容Ciss 730pF @100VVds
下降时间 10.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 25W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
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