SIHG73N60E-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIHG73N60E-E3概述

Trans MOSFET N-CH 600V 73A 3Pin TO-247AC

N-Channel 600V 73A Tc 520W Tc Through Hole TO-247AC

得捷:
MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC

SIHG73N60E-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 520W Tc

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 7700pF @100VVds

额定功率Max 520 W

耗散功率Max 520W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SIHG73N60E-E3

型号： SIHG73N60E-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：Trans MOSFET N-CH 600V 73A 3Pin TO-247AC