SI7868ADP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7868ADP-T1-GE3概述

Mosfet n-Ch 20V 40A Ppak So-8

N-Channel 20V 40A Tc 5.4W Ta, 83W Tc Surface Mount PowerPAK® SO-8

得捷:
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8

贸泽:
MOSFET 20V 40A 83W 2.25mohm @ 10V

SI7868ADP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 5.4W Ta, 83W Tc

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 6110pF @10VVds

耗散功率Max 5.4W Ta, 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.15 mm

高度 1.04 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7868ADP-T1-GE3

型号： SI7868ADP-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：Mosfet n-Ch 20V 40A Ppak So-8