SQD25N15-52_GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SQD25N15-52_GE3图片1

SQD25N15-52_GE3图片2

SQD25N15-52_GE3图片3

SQD25N15-52_GE3概述

MOSFET N-CH 150V 25A TO252

表面贴装型 N 通道 150 V 25A（Tc） 107W（Tc） TO-252AA

得捷:
MOSFET N-CH 150V 25A TO252

贸泽:
MOSFET 150V 25A 136W AEC-Q101 Qualified

SQD25N15-52_GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 107 W

漏源极电压Vds 150 V

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 2200pF @25VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 107W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SQD25N15-52_GE3

型号： SQD25N15-52_GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 150V 25A TO252