SQD45N05-20L-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SQD45N05-20L-GE3概述

MOSFET 50V 45A 75W 18mohm @ 10V

表面贴装型 N 通道 50A（Tc） 2.5W（Ta），75W（Tc） TO-252，（D-Pak）

得捷:
MOSFET N-CH 50V 50A TO252

SQD45N05-20L-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.5W Ta, 75W Tc

漏源极电压Vds 50 V

输入电容Ciss 1800pF @25VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 75W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQD45N05-20L-GE3

型号： SQD45N05-20L-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 50V 45A 75W 18mohm @ 10V

替代型号SQD45N05-20L-GE3