SQM100N10-10_GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SQM100N10-10_GE3概述

MOSFET N-CH 100V 100A TO-263

N-Channel 100V 100A Tc 375W Tc Surface Mount TO-263 D2Pak

得捷:
MOSFET N-CH 100V 100A TO-263

贸泽:
MOSFET 100V 100A 375W AEC-Q101 Qualified

SQM100N10-10_GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 375 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 8050pF @25VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SQM100N10-10_GE3

型号： SQM100N10-10_GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 100V 100A TO-263

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