SUD19N20-90-T4-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SUD19N20-90-T4-E3概述

Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3Pin2+Tab DPAK T/R

表面贴装型 N 通道 19A（Tc） 3W（Ta），136W（Tc） TO-252，（D-Pak）

得捷:
MOSFET N-CH 200V 19A TO252

贸泽:
MOSFET N-CH 200V 19A

SUD19N20-90-T4-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3W Ta, 136W Tc

漏源极电压Vds 200 V

输入电容Ciss 1800pF @25VVds

耗散功率Max 3W Ta, 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SUD19N20-90-T4-E3

型号： SUD19N20-90-T4-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：Trans MOSFET N-CH 200V 19A 3Pin2+Tab DPAK T/R

替代型号SUD19N20-90-T4-E3

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