SIHP7N60E-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SIHP7N60E-E3概述

MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

N-Channel 600V 7A Tc 78W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB

贸泽:
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

SIHP7N60E-E3中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

耗散功率 78 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 13 ns

输入电容Ciss 680pF @100VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 78W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SIHP7N60E-E3

型号： SIHP7N60E-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 600V 7A TO-220AB

替代型号SIHP7N60E-E3

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SIHP7N60E-E3和SIHP7N60E-GE3的区别