SQM60N06-15_GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SQM60N06-15_GE3图片1

SQM60N06-15_GE3概述

MOSFET N-CH 60V 56A TO263

表面贴装型 N 通道 56A（Tc） 107W（Tc） TO-263（D2Pak）

得捷:
MOSFET N-CH 60V 56A TO263

SQM60N06-15_GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 107W Tc

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 2480pF @25VVds

耗散功率Max 107W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SQM60N06-15_GE3

型号： SQM60N06-15_GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 60V 56A TO263

替代型号SQM60N06-15_GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SQM60N06-15_GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SQM110N06-06-GE3 Vishay Siliconix	完全替代	SQM60N06-15_GE3和SQM110N06-06-GE3的区别
SQM85N03-06P-GE3 Vishay Siliconix	完全替代	SQM60N06-15_GE3和SQM85N03-06P-GE3的区别
SQM47N10-24L-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SQM60N06-15_GE3和SQM47N10-24L-GE3的区别