SIHU7N60E-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SIHU7N60E-E3概述

Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3Pin IPAK

N-Channel 600V 7A Tc 78W Tc Through Hole TO-251

得捷:
MOSFET N-CH 600V 7A TO251

SIHU7N60E-E3中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

耗散功率 78W Tc

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 680pF @100VVds

耗散功率Max 78W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SIHU7N60E-E3

型号： SIHU7N60E-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3Pin IPAK