SQD45P03-12_GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SQD45P03-12_GE3图片1

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SQD45P03-12_GE3概述

MOSFET P-CH 30V 50A TO252

表面贴装型 P 通道 50A（Tc） 71W（Tc） TO-252，（D-Pak）

得捷:
MOSFET P-CH 30V 50A TO252

SQD45P03-12_GE3中文资料参数规格

技术参数

极性 P-Channel

耗散功率 71W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 3495pF @15VVds

耗散功率Max 71W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SQD45P03-12_GE3

型号： SQD45P03-12_GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET P-CH 30V 50A TO252

替代型号SQD45P03-12_GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SQD45P03-12_GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SUD50P04-09L-E3 Vishay Siliconix	类似代替	SQD45P03-12_GE3和SUD50P04-09L-E3的区别
SQD50P04-13L-GE3 Vishay Siliconix	类似代替	SQD45P03-12_GE3和SQD50P04-13L-GE3的区别
SQD19P06-60L-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SQD45P03-12_GE3和SQD19P06-60L-GE3的区别