SQR40N10-25_GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

SQR40N10-25_GE3图片1

SQR40N10-25_GE3概述

MOSFET N-CH 100V 40A TO263

表面贴装型 N 通道 40A（Tc） 136W（Tc） TO-252（DPAK）反向引线

得捷:
MOSFET N-CH 100V 40A TO252 REV

SQR40N10-25_GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 136W Tc

漏源极电压Vds 100 V

输入电容Ciss 3380pF @25VVds

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SQR40N10-25_GE3

型号： SQR40N10-25_GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 100V 40A TO263

替代型号SQR40N10-25_GE3

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SQR40N10-25_GE3 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
SQR40N10-25-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	SQR40N10-25_GE3和SQR40N10-25-GE3的区别
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