SIE878DF-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIE878DF-T1-GE3概述

Trans MOSFET N-CH 25V 24A 10Pin PolarPAK T/R

N-Channel 25V 45A Tc 5.2W Ta, 25W Tc Surface Mount 10-PolarPAK® L

得捷:
MOSFET N-CH 25V 45A 10POLARPAK

DeviceMart:
MOSFET N-CH 25V POLARPAK

SIE878DF-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

耗散功率 5.2W Ta, 25W Tc

漏源极电压Vds 25 V

输入电容Ciss 1400pF @12.5VVds

耗散功率Max 5.2W Ta, 25W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PolarPAK-10

外形尺寸

封装 PolarPAK-10

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SIE878DF-T1-GE3

型号： SIE878DF-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：Trans MOSFET N-CH 25V 24A 10Pin PolarPAK T/R