SI4632DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI4632DY-T1-E3概述

MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V

表面贴装型 N 通道 25 V 40A（Tc） 3.5W（Ta），7.8W（Tc） 8-SOIC

得捷:
MOSFET N-CH 25V 40A 8SO

贸泽:
MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V

SI4632DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3.5W Ta, 7.8W Tc

漏源极电压Vds 25 V

输入电容Ciss 11175pF @15VVds

耗散功率Max 3.5W Ta, 7.8W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4632DY-T1-E3

型号： SI4632DY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V