SI7370ADP-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI7370ADP-T1-GE3概述

MOSFET 60V 15.8A 5.2W 10mohm @ 10V

N-Channel 60V 50A Tc 5.2W Ta, 69.4W Tc Surface Mount PowerPAK® SO-8

得捷:
MOSFET N-CH 60V 50A PPAK SO-8

贸泽:
MOSFET 60V 15.8A 5.2W 10mohm @ 10V

SI7370ADP-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 5.2W Ta, 69.4W Tc

漏源极电压Vds 60 V

输入电容Ciss 2850pF @30VVds

耗散功率Max 5.2W Ta, 69.4W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI7370ADP-T1-GE3

型号： SI7370ADP-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 60V 15.8A 5.2W 10mohm @ 10V