SI6413DQ-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI6413DQ-T1-GE3概述

MOSFET 20V 8.8A 1.5W 10mohm @ 4.5V

表面贴装型 P 通道 20 V 7.2A（Ta） 1.05W（Ta） 8-TSSOP

得捷:
MOSFET P-CH 20V 7.2A 8TSSOP

贸泽:
MOSFET 20V 8.8A 1.5W 10mohm @ 4.5V

SI6413DQ-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.05W Ta

漏源极电压Vds 20 V

耗散功率Max 1.05W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSSOP-8

外形尺寸

长度 4.4 mm

宽度 3 mm

高度 1.2 mm

封装 TSSOP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI6413DQ-T1-GE3

型号： SI6413DQ-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 20V 8.8A 1.5W 10mohm @ 4.5V