SQJ402EP-T1_GE3

SQJ402EP-T1_GE3概述

MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

表面贴装型 N 通道 100 V 32A(Tc) 83W(Tc) PowerPAK® SO-8 双


得捷:
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8


贸泽:
MOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified


SQJ402EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 83 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 2289pF @40VVds

下降时间 7 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SO-8L-4

外形尺寸

长度 6.15 mm

宽度 5.13 mm

高度 1.04 mm

封装 SO-8L-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买SQJ402EP-T1_GE3
型号: SQJ402EP-T1_GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 100V POWERPAK SO8L

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司