SIA810DJ-T1-GE3概述
Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6Pin PowerPAK SC-70 T/R
表面贴装型 N 通道 4.5A（Tc） 1.9W（Ta），6.5W（Tc） PowerPAK® SC-70-6 双
得捷:
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
贸泽:
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SIA400EDJ-T1-GE3
SIA810DJ-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 1.9W Ta, 6.5W Tc
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
输入电容Ciss 400pF @10VVds
耗散功率Max 1.9W Ta, 6.5W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerPAK-SC70-6
外形尺寸
长度 2.05 mm
宽度 2.05 mm
高度 0.75 mm
封装 PowerPAK-SC70-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买SIA810DJ-T1-GE3
型号： SIA810DJ-T1-GE3
制造商：
Vishay Siliconix
描述：Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6Pin PowerPAK SC-70 T/R