SI4668DY-T1-E3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI4668DY-T1-E3概述

Mosfet n-Ch 25V 16.2A 8-Soic

N-Channel 25V 16.2A Tc 2.5W Ta, 5W Tc Surface Mount 8-SO

得捷:
MOSFET N-CH 25V 16.2A 8SO

贸泽:
MOSFET 25V 16.2A 5.0W

SI4668DY-T1-E3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.5W Ta, 5W Tc

漏源极电压Vds 25 V

输入电容Ciss 1654pF @15VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI4668DY-T1-E3

型号： SI4668DY-T1-E3

制造商： Vishay Siliconix

描述：Mosfet n-Ch 25V 16.2A 8-Soic