SI3443BDV-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SI3443BDV-T1-GE3概述

Mosfet p-Ch 20V 3.6A 6-Tsop

表面贴装型 P 通道 20 V 3.6A（Ta） 1.1W（Ta） 6-TSOP

得捷:
MOSFET P-CH 20V 3.6A 6TSOP

SI3443BDV-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 1.1W Ta

漏源极电压Vds 20 V

耗散功率Max 1.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI3443BDV-T1-GE3

型号： SI3443BDV-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：Mosfet p-Ch 20V 3.6A 6-Tsop

替代型号SI3443BDV-T1-GE3

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