SI1404BDH-T1-GE3

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SI1404BDH-T1-GE3概述

Mosfet n-Ch 30V 1.9A Sot363

表面贴装型 N 通道 30 V 1.9A(Ta),2.37A(Tc) 1.32W(Ta),2.28W(Tc) SC-70-6


得捷:
MOSFET N-CH 30V 1.9A/2.37A SC70


SI1404BDH-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.32W Ta, 2.28W Tc

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 100pF @15VVds

耗散功率Max 1.32W Ta, 2.28W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI1404BDH-T1-GE3
型号: SI1404BDH-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:Mosfet n-Ch 30V 1.9A Sot363

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