STP80NF55L-08

STP80NF55L-08图片1
STP80NF55L-08概述

N沟道55V - 0.0065ohm - 80A - TO- 220 / D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A - TO-220/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET

DESCRIPTION

This Power Mosfet is the latest development of STMicroelectronics unique “Single Feature Size™”strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalance characteris tics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.

■ TYPICAL RDSon = 0.0065Ω

■ LOW THRESHOLD DRIVE

■ LOGIC LEVEL DEVICE


贸泽:
MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp


STP80NF55L-08中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 8.00 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

漏源击穿电压 55.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 145 ns

下降时间 65 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买STP80NF55L-08
型号: STP80NF55L-08
制造商: ST Microelectronics 意法半导体
描述:N沟道55V - 0.0065ohm - 80A - TO- 220 / D2PAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0065ohm - 80A - TO-220/D2PAK STripFET⑩ II POWER MOSFET
替代型号STP80NF55L-08
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STP80NF55L-08

ST Microelectronics 意法半导体

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