SIHH11N65EF-T1-GE3概述
MOSFET N-CHAN 600V 24A POWERPAK
N-Channel 650V 11A Tc 130W Tc Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
得捷:
MOSFET N-CH 650V 11A PPAK 8 X 8
贸泽:
MOSFET 650V Vds +/-30V Vgs Rdson @10V 0.382
SIHH11N65EF-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 0.332 Ω
耗散功率 130 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
漏源击穿电压 650 V
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 1243pF @100VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 130W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerPAK-8x8-4
外形尺寸
长度 8 mm
宽度 8 mm
高度 1 mm
封装 PowerPAK-8x8-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
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