STF11N60DM2概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V
N-Channel 600V 10A Tc 25W Tc Through Hole TO-220FP
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MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
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STF11N60DM2
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Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
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MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP / N-Channel 600 V 10A Tc 25W Tc Through Hole TO-220FP
STF11N60DM2中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.37 Ω
极性 N-CH
耗散功率 25 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 6.3 ns
输入电容Ciss 614pF @100VVds
下降时间 9.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 25W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买STF11N60DM2
型号： STF11N60DM2
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V