SI8447DB-T2-E1参数规格_中文资料_数据手册PDF

SI8447DB-T2-E1概述

Mosfet p-Ch 20V 11A Microfoot

P-Channel 20V 11A Tc 2.77W Ta, 13W Tc Surface Mount 6-Micro Foot™ 1.5x1

得捷:
MOSFET P-CH 20V 11A 6MICRO FOOT

SI8447DB-T2-E1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 2.77W Ta, 13W Tc

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 600pF @10VVds

耗散功率Max 2.77W Ta, 13W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 Micro-6

外形尺寸

封装 Micro-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SI8447DB-T2-E1

型号： SI8447DB-T2-E1

制造商： Vishay Siliconix

描述：Mosfet p-Ch 20V 11A Microfoot

替代型号SI8447DB-T2-E1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SI8447DB-T2-E1 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
CSD25302Q2 德州仪器	功能相似	SI8447DB-T2-E1和CSD25302Q2的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

SI8447DB-T2-E1

Vishay Siliconix

当前型号

CSD25302Q2

德州仪器

功能相似