SIHH26N60EF-T1-GE3

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SIHH26N60EF-T1-GE3概述

MOS Power Transistors HV >= 200V

表面贴装型 N 通道 24A(Tc) 202W(Tc) PowerPAK® 8 x 8


得捷:
MOSFET N-CH 600V 24A PPAK 8 X 8


SIHH26N60EF-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 202W Tc

漏源极电压Vds 600 V

输入电容Ciss 2744pF @100VVds

耗散功率Max 202W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerTDFN-8

外形尺寸

封装 PowerTDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买SIHH26N60EF-T1-GE3
型号: SIHH26N60EF-T1-GE3
制造商: Vishay Siliconix
描述:MOS Power Transistors HV >= 200V

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