SIHH24N65EF-T1-GE3参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIHH24N65EF-T1-GE3概述

MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK

N-Channel 650V 23A Tc 202W Tc Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

得捷:
MOSFET N-CH 650V 23A PPAK 8 X 8

贸泽:
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8

SIHH24N65EF-T1-GE3中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 202 W

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 59 ns

输入电容Ciss 2780pF @100VVds

下降时间 46 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 202W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 PowerPAK-8x8-4

外形尺寸

长度 8 mm

宽度 8 mm

高度 1 mm

封装 PowerPAK-8x8-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SIHH24N65EF-T1-GE3

型号： SIHH24N65EF-T1-GE3

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK