SIHH11N65E-T1-GE3概述
MOSFET N-CHAN 650V 12A POWERPAK
N-Channel 650V 12A Tc 130W Tc Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A PPAK 8 X 8
贸泽:
MOSFET 650V Vds 30V Vgs PowerPAK 8 x 8
SIHH11N65E-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 130 W
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 1257pF @100VVds
下降时间 23 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 130W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 PowerPAK-8x8-4
外形尺寸
长度 8 mm
宽度 8 mm
高度 1 mm
封装 PowerPAK-8x8-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
在线购买SIHH11N65E-T1-GE3