SSP6N70A

SSP6N70A图片1
SSP6N70A概述

先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET

BVDSS = 700 V

RDSon = 1.8 W

ID = 6 A

FEATURES

Avalanche Rugged Technology

Rugged Gate Oxide Technology

Lower Input Capacitance

Improved Gate Charge

Extended Safe Operating Area

Lower Leakage Current : 25 mA Max. @ VDS = 700V

Low RDSON : 1.552 W Typ.


SSP6N70A中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 700 V

连续漏极电流Ids 6A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SSP6N70A
型号: SSP6N70A
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET
替代型号SSP6N70A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

SSP6N70A

Fairchild 飞兆/仙童

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