STW8NC90Z参数规格_中文资料_数据手册PDF

STW8NC90Z中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

连续漏极电流Ids 7.6A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247

外形尺寸

封装 TO-247

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买STW8NC90Z

型号： STW8NC90Z

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道900V - 1.1欧姆 - 7.6A TO- 247齐纳保护PowerMESH⑩III MOSFET N-CHANNEL 900V - 1.1 ohm - 7.6A TO-247 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

替代型号STW8NC90Z

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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