STB12NM50FD参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB12NM50FD中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 12A

封装参数

封装 D2PAK

外形尺寸

封装 D2PAK

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买STB12NM50FD

型号： STB12NM50FD

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道500V - 0.32ヘ - 12A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500V - 0.32ヘ - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with fast diode

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