STP7NC80Z参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP7NC80Z中文资料参数规格

技术参数

漏源极电阻 1.30 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 135 W

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 6.50 A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

数据手册

在线购买STP7NC80Z

型号： STP7NC80Z

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道800V - 1.3ohm - 6.5A TO- 220 / FP / D2PAK / I2PAK齐纳保护PowerMESH⑩III MOSFET N-CHANNEL 800V - 1.3ohm - 6.5A TO-220/FP/D2PAK/I2PAK Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

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