STI30NM60ND

STI30NM60ND中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 25A

封装参数

封装 I2PAK

外形尺寸

封装 I2PAK

其他

产品生命周期 Obsolete

数据手册

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型号: STI30NM60ND
制造商: ST Microelectronics 意法半导体
描述:N沟道600 V , 0.11 Ω , 25 A FDmesh ?二功率MOSFET (具有快速二极管)的TO- 220,TO- 220FP , D2PAK , I2PAK ,TO- 247 N-channel 600 V, 0.11 Ω, 25 A FDmesh? II Power MOSFET with fast diode TO-220, TO-220FP, D2PAK, I2PAK, TO-247

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