STB12NM50FD-1参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB12NM50FD-1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 12A

封装参数

封装 I2PAK

外形尺寸

封装 I2PAK

其他

产品生命周期 Unknown

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买STB12NM50FD-1

型号： STB12NM50FD-1

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N沟道500V - 0.32ヘ - 12A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET （具有快速二极管） N-channel 500V - 0.32ヘ - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with fast diode

立即咨询

替代型号STB12NM50FD-1

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
STB12NM50FD-1 ST Microelectronics 意法半导体	当前型号	当前型号
STP14NM50N 意法半导体	功能相似	STB12NM50FD-1和STP14NM50N的区别
STP12NM50 意法半导体	功能相似	STB12NM50FD-1和STP12NM50的区别
IXFH12N50F IXYS Semiconductor	功能相似	STB12NM50FD-1和IXFH12N50F的区别