
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 0.91 ohm, 10 V, 4 V
通孔 N 通道 6A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)
得捷:
MOSFET N-CH 900V 6A IPAK
立创商城:
N沟道 900V 6A
贸泽:
MOSFET N-channel 900 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 0.91 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
安富利:
STMSTU6N90K5
Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 900V 6A IPAK / N-Channel 900 V 6A Tc 110W Tc Through Hole IPAK TO-251
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 910 mΩ
耗散功率 110 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
上升时间 12.2 ns
输入电容Ciss 342pF @100VVds
下降时间 15.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99