STU6N90K5

STU6N90K5图片1
STU6N90K5概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 0.91 ohm, 10 V, 4 V

通孔 N 通道 6A(Tc) 110W(Tc) IPAK(TO-251)


得捷:
MOSFET N-CH 900V 6A IPAK


立创商城:
N沟道 900V 6A


贸泽:
MOSFET N-channel 900 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 0.91 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


安富利:
STMSTU6N90K5


Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 900V 6A IPAK / N-Channel 900 V 6A Tc 110W Tc Through Hole IPAK TO-251


STU6N90K5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 910 mΩ

耗散功率 110 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 900 V

漏源击穿电压 900 V

上升时间 12.2 ns

输入电容Ciss 342pF @100VVds

下降时间 15.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STU6N90K5
型号: STU6N90K5
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 0.91 ohm, 10 V, 4 V

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