STP12NM50FDFP参数规格_中文资料_数据手册PDF

STP12NM50FDFP中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 400 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 35 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 12.0 A

上升时间 10 ns

下降时间 18 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.3 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买STP12NM50FDFP

型号： STP12NM50FDFP

制造商： ST Microelectronics 意法半导体

描述：N-二CHANNEL500V - 0.32ohm - 12ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET，快速二极管 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE

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替代型号STP12NM50FDFP

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