STD6N90K5概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 0.91 ohm, 10 V, 4 V
N-Channel 900V 6A Tc 110W Tc Surface Mount DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
贸泽:
MOSFET N-channel 900 V, 2.1 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 0.91 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 6A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
STD6N90K5中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 910 mΩ
耗散功率 110 W
阈值电压 3 V
输入电容 342 pF
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
上升时间 12.2 ns
正向电压Max 1.5 V
输入电容Ciss 342pF @100VVds
下降时间 15.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 110000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买STD6N90K5
型号： STD6N90K5
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 900 V, 0.91 ohm, 10 V, 4 V