SIT8008BI-12-33E-10.519000E参数规格_中文资料_数据手册PDF

SIT8008BI-12-33E-10.519000E概述

贴片有源晶振 2520 10.519MHz 3.3V LVCMOS ±25ppm -40°C~85°C

10.519MHz XO Standard HCMOS, LVCMOS Oscillator 3.3V Enable/Disable 4-SMD, No Lead

得捷:
MEMS OSC XO 10.5190MHZ H/LV-CMOS

SIT8008BI-12-33E-10.519000E中文资料参数规格

技术参数

频率 10.519 MHz

频率稳定度 ±25 ppm

电源电压 3.3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 2520

外形尺寸

封装 2520

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

数据手册

在线购买SIT8008BI-12-33E-10.519000E

型号： SIT8008BI-12-33E-10.519000E

描述：贴片有源晶振 2520 10.519MHz 3.3V LVCMOS ±25ppm -40°C~85°C

替代型号SIT8008BI-12-33E-10.519000E

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SIT8008BI-12-33E-10.519000E SiTime	当前型号	当前型号
SIT8008AI-12-33E-10.519000E SiTime	类似代替	SIT8008BI-12-33E-10.519000E和SIT8008AI-12-33E-10.519000E的区别

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SIT8008BI-12-33E-10.519000E

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