SQS850EN-T1_GE3概述
N-CH 60V 12A
MOSFET
立创商城:
SQS850EN-T1_GE3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
SQS850EN-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 33 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 9.6 ns
输入电容Ciss 1617pF @30VVds
下降时间 9.3 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 33000 mW
封装参数
引脚数 8
封装 1212-8
外形尺寸
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1.04 mm
封装 1212-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free