SQM47N10-24L_GE3

SQM47N10-24L_GE3图片1
SQM47N10-24L_GE3图片2
SQM47N10-24L_GE3概述

N 通道 MOSFET,汽车 SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor来自 Vishay Semiconductor 的**SQ** 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。### SQ 坚固系列 MOSFET 的优点• 符合 AEC-Q101 标准 • 接点温度高达 +175°C • 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术 • 创新型节省空间封装选项### 认可AEC-Q101### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

N 通道 MOSFET,汽车 SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor

来自 Vishay Semiconductor 的
.
*SQ** 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。

### SQ 坚固系列 MOSFET 的优点

• 符合 AEC-Q101 标准

• 接点温度高达 +175°C

• 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术

• 创新型节省空间封装选项

### 认可

AEC-Q101

### MOSFET ,Vishay Semiconductor


立创商城:
N沟道 100V 47A


欧时:
Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM47N10-24L_GE3, 47 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 47A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 47A 3-Pin2+Tab TO-263


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 47A TO263


SQM47N10-24L_GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 24 mΩ

极性 N-CH

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 47A

上升时间 6 ns

输入电容Ciss 2893pF @25VVds

下降时间 6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 9.652 mm

高度 4.826 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SQM47N10-24L_GE3
型号: SQM47N10-24L_GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:N 通道 MOSFET,汽车 SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor 来自 Vishay Semiconductor 的**SQ** 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。 ### SQ 坚固系列 MOSFET 的优点 • 符合 AEC-Q101 标准 • 接点温度高达 +175°C • 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术 • 创新型节省空间封装选项 ### 认可 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司