漏源极电阻 18.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
漏源击穿电压 120 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 145 ns
下降时间 115 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
数据手册
STB80NF12T4
ST Microelectronics 意法半导体
当前型号
STB80NF12
意法半导体
功能相似
STW80NF12