SUP75N08-10参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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SUP75N08-10图片3

SUP75N08-10中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 75.0 V

漏源极电阻 10.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.70 W

漏源击穿电压 75.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 75.0 A

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 4.7 mm

高度 15.49 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SUP75N08-10

型号： SUP75N08-10

制造商： Vishay Siliconix

描述：MOSFET 75V 75A 187W

替代型号SUP75N08-10

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
SUP75N08-10 Vishay Siliconix	当前型号	当前型号
STP10P6F6 意法半导体	功能相似	SUP75N08-10和STP10P6F6的区别
IXFK48N50 IXYS Semiconductor	功能相似	SUP75N08-10和IXFK48N50的区别
SPW16N50C3FKSA1 英飞凌	功能相似	SUP75N08-10和SPW16N50C3FKSA1的区别