SQJ968EP-T1_GE3

SQJ968EP-T1_GE3中文资料参数规格
技术参数

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 571pF @30VVds

下降时间 6.5 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

封装 PowerPAKSO-8

外形尺寸

封装 PowerPAKSO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买SQJ968EP-T1_GE3
型号: SQJ968EP-T1_GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:Trans MOSFET N-CH 60V 18A 8Pin SO T/R

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