SQM50P03-07_GE3

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SQM50P03-07_GE3概述

Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQM50P03-07-GE3, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

P 通道 MOSFET,SQ 坚固系列,Vishay Semiconductor


欧时:
Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQM50P03-07-GE3, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装


立创商城:
P沟道 30V 50A


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 50A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


SQM50P03-07_GE3中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 11 mΩ

极性 P-CH

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 4304pF @25VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

长度 10.41 mm

宽度 9.652 mm

高度 4.826 mm

封装 TO-263

其他

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 800

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买SQM50P03-07_GE3
型号: SQM50P03-07_GE3
制造商: VISHAY 威世
描述:Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQM50P03-07-GE3, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

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